福井一俊（助教授） 分子研リポート2000 | 分子科学研究所

研究系及び研究施設の現状 151

福 井 一 俊（助教授）

A -1)専門領域：真空紫外分光学、固体物性

A -2)研究課題：

a) 化合物半導体の電子構造に関する研究 b)放射光分光技術に関する研究

A -3)研究活動の概略と主な成果

a) K 内殻吸収の吸収端近傍のスペクトル形状が価電子帯のp状態の部分状態密度をほぼ反映することを用い、窒化物 半導体混晶の価電子帯p-部分状態密度を実験的に示し、かつスペクトルの入射角依存性からp-部分状態密度の異方 性成分を分解する手法を提示した。内殻吸収の特徴であるサイト選択性を利用し、陰イオン直上と陽イオン直上で の価電子帯p-部分状態密度の相違を明らかにした。また、紫外・真空紫外領域での物質の光学定数の提供を目標に、 赤外−真空紫外の広い領域での反射測定を行っている。

b)放射光の発光点が長く、大きい被写界深度を必要とする場合の集光光学系として古くから提唱されている通称magic mirrorを初めて実用することを試み、その評価を行った。また、放射光用光学ミラーの性能を決めるミラーの曲率や スロープエラーを評価するための装置の開発を行っている。

B -1) 学術論文

H. OKAMURA, J. KAWAHARA, T. NANBA, S. KIMURA, K. SODA, U. MIZUTANI, Y. NISHINO, M. KATO, I. SHIMOYAMA, H. MIURA, K. FUKUI, K. NAKAGAWA, H. NAKAGAWA and T. KINOSHITA, “Pseudogap Formation in the Intermetallic Compounds (Fe_1–xV_x)₃Al,” Phys. Rev. Lett. 84, 3674 (2000).

B -2) 国際会議のプロシーディングス

K. FUKUI, H. MIURA, A. OKADA, Q. GUO, S. TANAKA, H. HIRAYAMA and Y. AOYAGI, “Reflection Spectra of Al_1–xGa_xN,” Procedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conference Series 1, 647-650 (2000). Q. GUO, A. OKADA, M. NISHIO, H. OGAWA, K. FUKUI and A. YOSHIDA, “Temperature Dependence of Aluminum Nitride Reflectance Spectra,” Procedings of International Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conference Series 1, 651-654 (2000).

B -6) 学会および社会的活動 学会の組織委員

第 13回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム実行委員(1999-2000).

分子科学研究所研究会「紫外・真空紫外光領域の新しいニーズと放射光利用」主催者(2000).

152 研究系及び研究施設の現状 B -7) 他大学での講義、客員

東京大学物性研究所嘱託研究員 , 2000年 4 月−2001 年 3月 . 高輝度光科学研究センター外来研究員 , 2000年 4月−2001年 3月 .

C ) 研究活動の課題と展望

化合物半導体の光学的性質や電子構造に関する知見は基礎物性として、物質系の物性を理解するためだけでなく、応用 するための重要な情報である。この様な研究に対し、光学定数の決定に必要な基礎吸収端を含む広い波長範囲をカバー でき、かつまた電子構造に関し構成元素別に切り分けることを可能にする内殻電子励起を行うことができる放射光は極めて 有用な光源である。対象とする物質系に合わせた測定系・測定法・解析法の開発も含め、放射光を利用した化合物半導体 の光学的性質や電子構造に関する研究を引き続き進めていきたい。